- UID
- 114011
- 帖子
- 377
- 积分
- 273
- 威望
- 272
- 金币
- 12247
- 贡献
- 1
- 职业
- 组装机 电视机
- 来自
- 江西
- 注册时间
- 2007-10-8
- 最后登录
- 2011-11-12
|
1#
发表于 2008-5-18 00:01
| 只看该作者
场效应晶体管简称场效应管,用英文缩写为FET表示,它具有输入阻抗高,静态功率低,噪声低,工作点的动态范围大等优点;其缺点是耐压能力差,易造成静电击穿; 场效应管分为结型场效应管(用JFET表示)和绝缘栅型场效应管(用IGFET表示)根据导电沟道材料的不同,可把场效应管分为P型场效应管和N型场效应管; 根据栅源电压为零(Uds=0)时的漏极电流(Id)的大小,可把场效应管分为耗尽型(Id最大),增强型(Id最小,近似为零),耗尽型加增强型(Id较大); 结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管有增强型,耗尽型加增强型 |
|