判断单向可控硅触发能力的方法

可控硅导通条件

在阳极(A）-阴极(K)间加上一定大小的正向电压后，还需在控制极(G)-阴极(K)间加正向触发电压，可控硅才能导通，否则处于阻断状态。一旦触发导通后，控制极就失去了作用，这时要使电路阻断，必须使阳极电压足够小或切断阳极电压，以使阳极电流降到维持电流Ia以下。

检查方法

根据可控硅导通、阻断的条件，对其触发能力进行判断。方法如下：l、判断Ia～10A可控硅，电路1。用万用表的R*1档，先将S断开，表针不动，然后合上S，此时控制极与阳极短路，控制极电位升高，这时，表针停在几欧到十几欧处，再把S断开，如万用表读数不变，证明可控硅管良好质量。2、判断10-100A可控硅。处于大电流可控硅的门极触发电压Vgt、维持电流Ia都应增大，管子的通态压将Ut较大，Rx1档提供的电流低于维持电流Ia，使得导通情况不良，应采用图2电路测试判断。判断方法同上。可变电阻W(200Ω)为保护万用表而设置。3、判断100A以上的可控硅。处于更大电流可控硅的门极触发电压Vgt、维持电流Ia都更大，有的触发电压高达4V，维持电流Ia达300mA，Ia远大于欧姆档最大电流。应采用图3的电路进行测试，判断万用表选用DC500mA档，判断方法同判断(1)。注意：有的：可控硅其极触发电压较高，此时外加电压E也应相应提高。