晶体管的极限参数

晶体管的应用范围不应超过手册规定的最大数据，其最大允许的数据便是晶体管的极限参数。

一、最大反向电压

当晶体管PN结上反向电压太大时，PN结就会被击穿，所以晶体管PN结存在一个允许的最大反向电压。

1．集-射极反向击穿电压BVceo、BVcer、BVces三个参数分别是基极开路、基-射极接一电阻R(由手册给定，如3AD512规定R为15Ω)、基-射极短路时的集-射极反向击穿电压，其关系是BVceo<BVcer<BVces，说明基-射极接有电阻R时，R越小，允许的工作电压越高。因此，不同的应用场合，晶体管的工作电压可以不同。设计晶体管电路时一般是这样考虑问题的：如基极电阻较大，应按BVceo参数考虑，这样，尽管集-射极实际击穿电压大于BVceo，仍按BVceo考虑可使晶体管工作时有一定的可靠性裕量。当基极电阻较小时，如音频功率放大器中晶体管基-射极接输入变压器绕组，下偏置电阻往往只取几欧姆，这时晶体管的集-射极最大反向电压可允许大干BVceo，但应小于BVcer。仍按BVceo考虑设计电路就过于保守，管子的性能不能得到充分发挥。基一射极短路，三极管当二极管用，集一射极最大反向电压不应超过BVces。

2．集-基极反向击穿电压BVcbo(射极开路)晶体管作共基极接法时，集-基极最大反向电压不应超过BVcbo。以上四个参数中，BVcbo最大。如3AX31B的BVceo=10V。BVcbo=30V。

3．射-基极反向击穿电压BVebo(集电极开路)通常在放大器中，发射结处于正偏，可不考虑BVebo参数。但在开关电路中，为了使管子可靠截止，发射结可能反偏，这时应考虑反向电压不超过BVebo。以上五个参数中。BVebo最小，一般小功率管的BVebo只有几伏。

二、最大结温和最大集电极允许耗散功率Pcm

当温度达到一定高度时，晶体管的PN结就会失效，所以晶体管有最高结温的规定。锗管最高结温约75℃。硅管约150℃。显然，工作的环境温度也不能超过这个温度。

晶体管作放大用时，集电结处于反偏，Uce几乎全部降在集电结上。集电极耗散功率Pc=Uce·Ic，Pc过大，就会使PN结(尤其集电结)升温超过允许值，所以晶体管有最大集电极耗散功率Pcm的规定。



三、最大集电极电流Icm

晶体管有Icm的规定，其用意与上述不同，不是说Ic>Icm管子就损坏。大家知道，晶体管特性曲线是非线性的，在Ic较大的区域内，β值较小。晶体管作放大器时Ic是交变的，如Ic在交变过程中超过Icm，就会使输出波形产生严重失真，所以规定Ic不能超过Icm。Icm是指β值下降到额定值的2／3时的集电极电流。

由上所述可知，晶体管作放大器时，应工作在BVceo线、Pcm线、Icm线以及饱和区界线、截止区界线所围的区域内，如图所示。其中Pcm线是一条双曲线，通常手册上给出的Pcm是对环境温度为25℃来说的，环境温度升高，允许的Pcm减小，双曲线向箭头所指的方向移动，应用晶体管要考虑这一因素。